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PREC电池设备

设备名称:氮氧化硅沉积设备(PECVD)

设备用途:在硅片背表面,通过N2O和SiH4反应生成背钝化介质膜,提高电压和电流。               

 

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流程图


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设备名称:氧化铝沉积设备(ALD)

设备用途:在硅片背表面,通过H2O和TMA生成原子层的氧化铝钝化介质膜,提高电压和电流。

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流程图


perc-3


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单晶:>1.2%效率提升

多晶:>0.8%效率提升